XPSPEAK分峰拟合要点

1. 荷电校正

当用XPS测量绝缘体或者半导体时，由于光电子的连续发射而得不到电子补充，使得样品表面出现电子亏损，这种现象称为“荷电效应”。

荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势V_s，对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移，使得测量的结合能偏离真实值，造成测试结果的偏差。在用XPS测量绝缘体或者半导体时，需要对荷电效应所引起的偏差进行校正，称之为“荷电校正”。

• 将C1s的数据复制到origin中，做成曲线图，并通过数据读取工具来识别C1s谱中的峰值坐标，以其与C1s标准值(284.8 eV)之差作为荷电校正值(Δ)来矫正其他元素的结合能。

2. 约束条件

峰位置、半峰宽(FWHM)、峰强度(面积)

• 峰位置差值：参考XPS元素表

• FWHM：同一价态相等

• 峰面积：
  2p_1/2 : 2p_3/2 = 1 : 2
  3d_3/2 : 3d_5/2 = 2 : 3
  4f_5/2 : 4f_7/2 = 3 : 4

• 过渡金属2p轨道谱线不对称

• 价态越高对应结合能越高